须弥学者的几个阶段

学者将信意识分为3个发展阶段，我国学者把自我意识发展归结为三个阶段分别是，生理自我时期，社会自我时期，心理自我时期。

寻找通用型定向传导元件(寻找通用型定向传导元件瑶光滩)

在元神游戏中我们来到离岛找到须弥的学者，根据要求测试普尔希娜光钉。

2、接着来到第一阶段的采样点位置，使用雷元素攻击普尔希娜光钉。

3、打开任务界面，点击左下角，得到第二阶段采样点线索。

4、根据线索分别来到孤云阁和龙脊雪山，使用勘测器调查采样点，即可完成任务。

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八年级下册物理知识概念总结，教科版？

初中物理所有笔记，这是我以前收藏的，建议你看看第一章《声现象》复习提纲一、声音的发生与传播1、一切发声的物体都在振动。振动停止发声也停止。振动的物体叫声源。2、声音的传播需要介质，真空不能传声。3、声音在介质中的传播速度简称声速。声音在15℃空气中的传播速度是340m/s。4、回声是由于声音在传播过程中遇到障碍物被反射回来而形成的。二、我们怎样听到声音1、声音在耳朵里的传播途径:外界传来的声音引起鼓膜振动，这种振动经听小骨及其他组织传给听觉神经，听觉神经把信号传给大脑，人就听到了声音.2、耳聋:分为神经性耳聋和传导性耳聋.3、骨传导:声音的传导不仅仅可以用耳朵，还可以经头骨、颌骨传到听觉神经，引起听觉。这种声音的传导方式叫做骨传导。一些失去听力的人可以用这种方法听到声音。4、双耳效应:人有两只耳朵，而不是一只。声源到两只耳朵的距离一般不同，声音传到两只耳朵的时刻、强弱及其他特征也就不同。这些差异就是判断声源方向的重要基础。这就是双耳效应.三、乐音及三个特征1、乐音是物体做规则振动时发出的声音。2、音调：人感觉到的声音的高低。音调跟发声体振动频率有关系，频率越高音调越高；频率越低音调越低。物体在1s振动的次数叫频率，物体振动越快频率越高。3、响度：人耳感受到的声音的大小。响度跟发生体的振幅和距发声距离的远近有关。物体在振动时，偏离原来位置的最大距离叫振幅。振幅越大响度越大。4、音色：由物体本身决定。人们根据音色能够辨别乐器或区分人。四、噪声的危害和控制1、当代社会的四大污染：噪声污染、水污染、大气污染、固体废弃物污染。2、物理学角度看，噪声是指发声体做无规则的杂乱无章的振动发出的声音；环境保护的角度噪声是指妨碍人们正常休息、学习和工作的声音，以及对人们要听的声音起干扰作用的声音。3、人们用分贝（dB）来划分声音等级。4、减弱噪声的方法：在声源处减弱、在传播过程中减弱、在人耳处减弱。五、声的利用可以利用声来传播信息和传递能量第二章《光现象》复习提纲一、光的直线传播1、光源：定义：能够发光的物体叫光源。2、规律：光在同一种均匀介质中是沿直线传播的。3、光线是由一小束光抽象而建立的理想物理模型，建立理想物理模型是研究物理的常用方法之一。4、应用及现象：①激光准直。②影子的形成。③日食月食的形成。④小孔成像。5、光速：C=3×10的8次方m/s=3×10的5次方km/s。二、光的反射1、定义：光从一种介质射向另一种介质表面时，一部分光被反射回原来介质的现象叫光的反射。2、反射定律：反射光线与入射光线、法线在同一平面上，反射光线和入射光线分居于法线的两侧，反射角等于入射角。光的反射过程中光路是可逆的。3、分类：⑴镜面反射：定义：射到物面上的平行光反射后仍然平行条件：反射面平滑。⑵漫反射：定义：射到物面上的平行光反射后向着不同的方向，每条光线遵守光的反射定律。条件：反射面凹凸不平。4、面镜：⑴平面镜：成像特点：①像、物大小相等②像、物到镜面的距离相等。③像、物的连线与镜面垂直④物体在平面镜里所成的像是虚像。成像原理：光的反射定理实像和虚像：实像：实际光线会聚点所成的像虚像：反射光线反向延长线的会聚点所成的像三、颜色及看不见的光1、白光的组成:红,橙,黄,绿,蓝,靛,紫.2、看不见的光:红外线,紫外线第三章《透镜及其应用》复习提纲一、光的折射1、定义：光从一种介质斜射入另一种介质时，传播方向一般会发生变化；这种现象叫光的折射现象。2、光的折射定律：⑴折射光线，入射光线和法线在同一平面内。⑵折射光线和入射光线分居与法线两侧。⑶光从空气斜射入水或其他介质中时，折射角小于入射角，属于近法线折射。光从水中或其他介质斜射入空气中时，折射角大于入射角，属于远法线折射。光从空气垂直射入（或其他介质射出），折射角=入射角=0度。二、透镜1、名词：薄透镜：透镜的厚度远小于球面的半径。主光轴：通过两个球面球心的直线。光心：（O）即薄透镜的中心。性质：通过光心的光线传播方向不改变。焦点（F）：凸透镜能使跟主光轴平行的光线会聚在主光轴上的一点，这个点叫焦点。焦距（f）：焦点到凸透镜光心的距离。三、凸透镜成像规律凸透镜成像规律表:物距像的性质像距应用倒、正放、缩虚、实u>2f倒立缩小实像f2f幻灯机uu放大镜四、眼睛和眼镜近视及远视的矫正:近视眼要戴凹透镜,远视眼要戴凸透镜.五、显微镜和望远镜第四章《物态变化》复习提纲一、温度1、定义：温度表示物体的冷热程度。2、单位：①国际单位制中采用热力学温度。②常用单位是摄氏度（℃）规定：在一个标准大气压下冰水混合物的温度为0度，沸水的温度为100度，它们之间分成100等份，每一等份叫1摄氏度某地气温-3℃读做：零下3摄氏度或负3摄氏度③换算关系T=t+273K3、测量——温度计（常用液体温度计）温度计的原理：利用液体的热胀冷缩进行工作。分类及比较：分类实验用温度计寒暑表体温计用途测物体温度测室温测体温量程-20℃～110℃-30℃～50℃35℃～42℃分度值1℃1℃0.1℃所用液体水银煤油（红）酒精（红）水银特殊构造玻璃泡上方有缩口使用方法使用时不能甩，测物体时不能离开物体读数使用前甩可离开人体读数常用温度计的使用方法：使用前：观察它的量程，判断是否适合待测物体的温度；并认清温度计的分度值，以便准确读数。使用时：温度计的玻璃泡全部浸入被测液体中，不要碰到容器底或容器壁；温度计玻璃泡浸入被测液体中稍候一会儿，待温度计的示数稳定后再读数；读数时玻璃泡要继续留在被测液体中，视线与温度计中液柱的上表面相平。二、物态变化填物态变化的名称及吸热放热情况：1、熔化和凝固①熔化：定义：物体从固态变成液态叫熔化。晶体物质：海波、冰、石英水晶、非晶体物质：松香、石蜡玻璃、沥青、蜂蜡食盐、明矾、奈、各种金属熔化图象：②凝固：定义：物质从液态变成固态叫凝固。凝固图象：2、汽化和液化：①汽化：定义：物质从液态变为气态叫汽化。定义：液体在任何温度下都能发生的，并且只在液体表面发生的汽化现象叫蒸发。影响因素：⑴液体的温度；⑵液体的表面积⑶液体表面空气的流动。作用：蒸发吸热（吸外界或自身的热量），具有制冷作用。定义：在一定温度下，在液体内部和表面同时发生的剧烈的汽化现象。沸点：液体沸腾时的温度。沸腾条件：⑴达到沸点。⑵继续吸热沸点与气压的关系：一切液体的沸点都是气压减小时降低，气压增大时升高②液化：定义：物质从气态变为液态叫液化。方法：⑴降低温度；⑵压缩体积。3、升华和凝华：①升华定义：物质从固态直接变成气态的过程，吸热，易升华的物质有：碘、冰、干冰、樟脑、钨。②凝华定义：物质从气态直接变成固态的过程，放热第五章《电流和电路》复习提纲一、电流1、形成：电荷的定向移动形成电流2、方向的规定:把正电荷移动的方向规定为电流的方向。3、获得持续电流的条件：电路中有电源电路为通路4、电流的三种效应。(1)、电流的热效应。(2)、电流的磁效应。(3)、电流的化学效应。5、单位：(1)、国际单位：A(2)、常用单位：mA、μA(3)、换算关系：1A=1000mA1mA=1000μA6、测量：(1)、仪器：电流表，(2)、方法：①电流表要串联在电路中；②电流要从电流表的正接线柱流入，负接线柱流出，否则指针反偏。③被测电流不要超过电流表的最大测量值。④绝对不允许不经用电器直接把电流表连到电源两极上，原因电流表相当于一根导线。三、导体和绝缘体：1、导体：定义：容易导电的物体。常见材料：金属、石墨、人体、大地、酸碱盐溶液导电原因：导体中有大量的可自由移动的电荷2、绝缘体：定义：不容易导电的物体。常见材料：橡胶、玻璃、陶瓷、塑料、油等。不易导电的原因：几乎没有自由移动的电荷。3、导体和绝缘体之间并没有绝对的界限，在一定条件下可相互转化。一定条件下，绝缘体也可变为导体。四、电路1、组成：①电源②用电器③开关④导线2、三种电路：①通路：接通的电路。②开路：断开的电路。③短路：电源两端或用电器两端直接用导线连接起来。3、电路图：用规定的符号表示电路连接的图叫做电路图。4、连接方式：串联并联定义把元件逐个顺次连接起来的电路把元件并列的连接起来的电路特征电路中只有一条电流路径，一处段开所有用电器都停止工作。电路中的电流路径至少有两条，各支路中的元件独立工作，互不影响。开关作用控制整个电路干路中的开关控制整个电路。支路中的开关控制该支路。电路图实例装饰小彩灯、开关和用电器家庭中各用电器、各路灯第七章《电功率》复习提纲一、电功：1、定义：电流通过某段电路所做的功叫电功。2、实质：电流做功的过程，实际就是电能转化为其他形式的能（消耗电能）的过程。3、规定：电流在某段电路上所做的功，等于这段电路两端的电压，电路中的电流和通电时间的乘积。4、计算公式：W=UIt=Pt（适用于所有电路）对于纯电阻电路可推导出：W=I2Rt=U2t/R5、单位：国际单位是焦耳（J）常用单位：度（kwh）1度=1千瓦时=1kwh=3.6×106J6、测量电功：⑴电能表：是测量用户用电器在某一段时间内所做电功（某一段时间内消耗电能）的仪器。⑵电能表上“220V”“5A”“3000R/kwh”等字样，分别表示：电电能表额定电压220V；允许通过的最大电流是5A；每消耗一度电电能表转盘转3000转。⑶读数：电能表前后两次读数之差，就是这段时间内用电的度数。二、电功率：1、定义：电流在单位时间内所做的功。2、物理意义：表示电流做功快慢的物理量灯泡的亮度取决于灯泡的实际功率大小。3、电功率计算公式：P=UI=W/t（适用于所有电路）对于纯电阻电路可推导出：P=I2R=U2/R4、单位：国际单位瓦特（W）常用单位：千瓦（kw）5、额定功率和实际功率：⑴额定电压：用电器正常工作时的电压。额定功率：用电器在额定电压下的功率。P额=U额I额=U2额/R⑵“1度”的规定：1kw的用电器工作1h消耗的电能。P＝W/t可使用两套单位：“W、J、s”、“kw、kwh、h”6、测量：伏安法测灯泡的额定功率：①原理：P=UI②电路图：三电热1、实验：目的：研究电流通过导体产生的热量跟那些因素有关。2、焦耳定律：电流通过导体产生的热量跟电流的平方成正比，跟导体的电阻成正比，跟通电时间成正比。3、计算公式：Q=I2Rt(适用于所有电路)对于纯电阻电路可推导出：Q=UIt=U2t/R=W=Pt4、应用——电热器四生活用电(一)、家庭电路：1、家庭电路的组成部分：低压供电线(火线零线)、电能表、闸刀开关、保险丝、用电器、插座、灯座、开关。2、家庭电路的连接：各种用电器是并联接入电路的，插座与灯座是并联的，控制各用电器工作的开关与电器是串联的。3、家庭电路的各部分：⑴低压供电线：⑵电能表：⑶闸刀（空气开关）：⑷保险盒：⑸插座：⑹用电器（电灯）、开关：(二)、家庭电路电流过大的原因：原因：发生短路、用电器总功率过大。(三)、安全用电：安全用电原则：不接触低压带电体不靠近高压带电体第六章《欧姆定律》复习提纲一、电压(一)、电压的作用1、电压是形成电流的原因：电压使电路中的自由电荷定向移动形成了电流。电源是提供电压的装置。2、电路中获得持续电流的条件①电路中有电源（或电路两端有电压）②电路是连通的。(二)、电压的单位1、国际单位：V常用单位：kVmV、μV换算关系：1Kv＝1000V1V＝1000mV1mV＝1000μV2、记住一些电压值：一节干电池1.5V一节蓄电池2V家庭电压220V安全电压不高于36V(三)、电压测量：1、仪器：电压表，符号：2、读数时，看清接线柱上标的量程，每大格、每小格电压值3、使用规则：①电压表要并联在电路中。②电流从电压表的“正接线柱”流入，“负接线柱”流出。否则指针会反偏。③被测电压不要超过电压表的最大量程。二、电阻(一)定义及符号：1、定义：电阻表示导体对电流阻碍作用的大小。2、符号：R。(二)单位：1、国际单位：欧姆。规定：如果导体两端的电压是1V，通过导体的电流是1A，这段导体的电阻是1Ω。2、常用单位：千欧、兆欧。3、换算：1MΩ=1000KΩ1KΩ=1000Ω4、了解一些电阻值：手电筒的小灯泡，灯丝的电阻为几欧到十几欧。日常用的白炽灯，灯丝的电阻为几百欧到几千欧。实验室用的铜线，电阻小于百分之几欧。电流表的内阻为零点几欧。电压表的内阻为几千欧左右。(三)影响因素：结论：导体的电阻是导体本身的一种性质，它的大小决定于导体的材料、长度和横截面积，还与温度有关。(四)分类1、定值电阻：电路符号：。2、可变电阻（变阻器）：电路符号。⑴滑动变阻器：构造：瓷筒、线圈、滑片、金属棒、接线柱结构示意图：。变阻原理：通过改变接入电路中的电阻线的长度来改变电阻。作用：①通过改变电路中的电阻，逐渐改变电路中的电流和部分电路两端的电压②保护电路⑵电阻箱。三、欧姆定律。1、探究电流与电压、电阻的关系。结论：在电阻一定的情况下，导体中的电流与加在导体两端的电压成正比；在电压不变的情况下，导体中的电流与导体的电阻成反比。2、欧姆定律的内容：导体中的电流，跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比。3、数学表达式I=U/R四、伏安法测电阻1、定义：用电压表和电流表分别测出电路中某一导体两端的电压和通过的电流就可以根据欧姆定律算出这个导体的电阻，这种用电压表电流表测电阻的方法叫伏安法。2、原理：I=U/R3、电路图：（右图）五、串联电路的特点：1、电流：文字：串联电路中各处电流都相等。字母：I=I1=I2=I3=……In2、电压：文字：串联电路中总电压等于各部分电路电压之和。字母：U=U1+U2+U3+……Un3、电阻：文字：串联电路中总电阻等于各部分电路电阻之和。字母：R=R1+R2+R3+……Rn六、并联电路的特点：1、电流：文字：并联电路中总电流等于各支路中电流之和。字母：I=I1+I2+I3+……In2、电压：文字：并联电路中各支路两端的电压都相等。字母：U=U1=U2=U3=……Un3、电阻：文字：并联电路总电阻的倒数等于各支路电阻倒数之和。字母：1/R=1/R1+1/R2+1/R3+……1/Rn第八章《电与磁》复习提纲一、磁现象：1、磁性：磁铁能吸引铁、钴、镍等物质的性质（吸铁性）2、磁体：定义：具有磁性的物质分类：永磁体分为天然磁体、人造磁体3、磁极：定义：磁体上磁性最强的部分叫磁极。（磁体两端最强中间最弱）种类：水平面自由转动的磁体，指南的磁极叫南极（S），指北的磁极叫北极（N）作用规律：同名磁极相互排斥，异名磁极相互吸引。4、磁化：①定义：使原来没有磁性的物体获得磁性的过程。②钢和软铁的磁化：软铁被磁化后，磁性容易消失，称为软磁材料。钢被磁化后，磁性能长期保持，称为硬磁性材料。二、磁场：1、定义：磁体周围存在着的物质，它是一种看不见、摸不着的特殊物质。2、基本性质：磁场对放入其中的磁体产生力的作用。磁极间的相互作用是通过磁场而发生的。3、方向规定：在磁场中的某一点，小磁针北极静止时所指的方向（小磁针北极所受磁力的方向）就是该点磁场的方向。4、磁感应线：①定义：在磁场中画一些有方向的曲线。任何一点的曲线方向都跟放在该点的磁针北极所指的方向一致。②方向：磁体周围的磁感线都是从磁体的北极出来，回到磁体的南极。5、磁极受力：在磁场中的某点，北极所受磁力的方向跟该点的磁场方向一致，南极所受磁力的方向跟该点的磁场方向相反。6、分类：Ι、地磁场：①定义：在地球周围的空间里存在的磁场，磁针指南北是因为受到地磁场的作用。②磁极：地磁场的北极在地理的南极附近，地磁场的南极在地理的北极附近。③磁偏角：首先由我国宋代的沈括发现。Ⅱ、电流的磁场：①奥斯特实验：通电导线的周围存在磁场，称为电流的磁效应。该现象在1820年被丹麦的物理学家奥斯特发现。该现象说明：通电导线的周围存在磁场，且磁场与电流的方向有关。②通电螺线管的磁场：通电螺线管的磁场和条形磁铁的磁场一样。其两端的极性跟电流方向有关，电流方向与磁极间的关系可由安培定则来判断。③应用：电磁铁三、电磁感应:1、学史：英国物理学家法拉第发现。2、感应电流：导体中感应电流的方向，跟运动方向和磁场方向有关。4、应用——交流发电机5、交流电和直流电：四、磁场对电流的作用:1、通电导体在磁场里受力的方向，跟电流方向和磁场方向有关。2、应用——直流电动机第十章《多彩的物质世界》复习提纲一、宇宙和微观世界1、宇宙由物质组成:2、物质是由分子组成的3、固态、液态、气态的微观模型:4、原子结构5、纳米科学技术二、质量：1、定义：物体所含物质的多少叫质量。2、单位：国际单位制：主单位kg，常用单位：tgmg3、质量的理解：固体的质量不随物体的形态、状态、位置、温度而改变，所以质量是物体本身的一种属性。4、测量：二、密度：1、定义：单位体积的某种物质的质量叫做这种物质的密度。2、公式：变形3、单位：国际单位制：主单位kg/m3，常用单位g/cm3。这两个单位比较：g/cm3单位大。单位换算关系：1g/cm?0?6=103kg/m?0?61kg/m?0?6=10-3g/cm?0?6水的密度为1.0×103kg/m?0?6，读作1.0×103千克每立方米，它表示物理意义是：1立方米的水的质量为1.0×103千克。4、测体积——量筒（量杯）5、测固体的密度第十一章《运动和力》复习提纲一、参照物1、定义：为研究物体的运动假定不动的物体叫做参照物。2、任何物体都可做参照物3、选择不同的参照物来观察同一个物体结论可能不同。同一个物体是运动还是静止取决于所选的参照物，这就是运动和静止的相对性。二、机械运动1、定义：物理学里把物体位置变化叫做机械运动。2、特点：机械运动是宇宙中最普遍的现象。3、比较物体运动快慢的方法：⑴时间相同路程长则运动快⑵路程相同时间短则运动快⑶比较单位时间内通过的路程。分类：（根据运动路线）⑴曲线运动⑵直线运动Ⅰ匀速直线运动：A、定义：快慢不变，沿着直线的运动叫匀速直线运动。定义：在匀速直线运动中，速度等于运动物体在单位时间内通过的路程。物理意义：速度是表示物体运动快慢的物理量计算公式：B、速度单位：国际单位制中m/s运输中单位km/h两单位中m/s单位大。换算：1m/s=3.6km/h。Ⅱ变速运动：定义：运动速度变化的运动叫变速运动。平均速度：=总路程总时间物理意义：表示变速运动的平均快慢五、力的作用效果1、力的概念：力是物体对物体的作用。2力的性质：物体间力的作用是相互的（相互作用力在任何情况下都是大小相等，方向相反，作用在不同物体上）。两物体相互作用时，施力物体同时也是受力物体，反之，受力物体同时也是施力物体。3、力的作用效果：力可以改变物体的运动状态。力可以改变物体的形状。4、力的单位：国际单位制中力的单位是牛顿简称牛，用N表示。力的感性认识：拿两个鸡蛋所用的力大约1N。5、力的测量：⑴测力计：测量力的大小的工具。⑶弹簧测力计：6、力的三要素：力的大小、方向、和作用点。7、力的表示法六、惯性和惯性定律：1、牛顿第一定律：⑴牛顿第一定律内容是：一切物体在没有受到力的作用的时候，总保持静止状态或匀速直线运动状态。2、惯性：⑴定义：物体保持运动状态不变的性质叫惯性。⑵说明：惯性是物体的一种属性。一切物体在任何情况下都有惯性。七、二力平衡：1、定义：物体在受到两个力的作用时，如果能保持静止状态或匀速直线运动状态称二力平衡。2、二力平衡条件：二力作用在同一物体上、大小相等、方向相反、两个力在一条直线上3、力和运动状态的关系：物体受力条件物体运动状态说明力不是产生（维持）运动的原因受非平衡力合力不为0力是改变物体运动状态的原因第十二章《力和机械》复习提纲一、弹力1、弹性:物体受力发生形变，失去力又恢复到原来的形状的性质叫弹性。2、塑性:在受力时发生形变，失去力时不能恢复原来形状的性质叫塑性。3、弹力:物体由于发生弹性形变而受到的力叫弹力,弹力的大小与弹性形变的大小有关二、重力：⑴重力的概念：地面附近的物体，由于地球的吸引而受的力叫重力。重力的施力物体是：地球。⑵重力大小的计算公式G=mg其中g=9.8N/kg它表示质量为1kg的物体所受的重力为9.8N。⑶重力的方向：竖直向下其应用是重垂线、水平仪分别检查墙是否竖直和面是否水平。⑷重力的作用点——重心：三、摩擦力：1、定义：两个互相接触的物体，当它们要发生或已发生相对运动时，就会在接触面上产生一种阻碍相对运动的力就叫摩擦力。2、分类：3、摩擦力的方向：摩擦力的方向与物体相对运动的方向相反，有时起阻力作用，有时起动力作用。4、静摩擦力大小应通过受力分析，结合二力平衡求得5、在相同条件（压力、接触面粗糙程度相同）下，滚动摩擦比滑动摩擦小得多。6、滑动摩擦力：滑动摩擦力的大小与压力大小和接触面的粗糙程度有关。7、应用：⑴理论上增大摩擦力的方法有：增大压力、接触面变粗糙、变滚动为滑动。⑵理论上减小摩擦的方法有：减小压力、使接触面变光滑、变滑动为滚动（滚动轴承）、使接触面彼此分开（加润滑油、气垫、磁悬浮）。四、杠杆1、定义：在力的作用下绕着固定点转动的硬棒叫杠杆。说明：①杠杆可直可曲，形状任意。②有些情况下，可将杠杆实际转一下，来帮助确定支点。如：鱼杆、铁锹。2、五要素——组成杠杆示意图。①支点：杠杆绕着转动的点。用字母O表示。②动力：使杠杆转动的力。用字母F1表示。③阻力：阻碍杠杆转动的力。用字母F2表示。④动力臂：从支点到动力作用线的距离。用字母l1表示。⑤阻力臂：从支点到阻力作用线的距离。用字母l2表示。3、研究杠杆的平衡条件：杠杆的平衡条件（或杠杆原理）是：动力×动力臂＝阻力×阻力臂。写成公式F1l1=F2l2也可写成：F1/F2=l2/l14、应用：名称结构特征特点应用举例省力杠杆动力臂大于阻力臂省力、费距离撬棒、铡刀、动滑轮、轮轴、羊角锤、钢丝钳、手推车、花枝剪刀费力杠杆动力臂小于阻力臂费力、省距离缝纫机踏板、起重臂人的前臂、理发剪刀、钓鱼杆等臂杠杆动力臂等于阻力臂不省力不费力天平，定滑轮五、滑轮1、定滑轮：①定义：中间的轴固定不动的滑轮。②实质：定滑轮的实质是：等臂杠杆③特点：使用定滑轮不能省力但是能改变动力的方向。2、动滑轮：①定义：和重物一起移动的滑轮。②实质：动滑轮的实质是：动力臂为阻力臂2倍的省力杠杆。③特点：使用动滑轮能省一半的力，但不能改变动力的方向。3、滑轮组①定义：定滑轮、动滑轮组合成滑轮组。②特点：使用滑轮组既能省力又能改变动力的方向

模拟电路与数字电路的目录

上篇　模拟部分

第1章　半导体器件　1

1.1　半导体基础知识　1

半导体器件（semiconductor device）通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。

绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两 类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C（U3）I等系统中已得到广泛的应用 。

1.1.1　本征半导体　1

本征半导体（intrinsic semiconductor)

完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实际半导体不能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conduction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子－空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度

缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！

1.1.2　本征激发和两种载流子　2

1.1.3　杂质半导体　2

定义

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备杂质半导体时一般按百万分之一数量级的比例在本征半导体中掺杂。

基本原理

半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级—施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为N型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(Acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

1.1.4　PN结　4

PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。

1.2　二极管　7

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

1.2.1　二极管的几种常见结构　7

1.2.2　二极管的伏-安特性　7

1.2.3　二极管的主要参数　8

1.2.4　二极管极性的简易判别法　8

1.2.5　二极管的等效电路　9

*1.3　二极管的基本应用电路　9

1.3.1　二极管整流电路　9

1.3.2　桥式整流电路　10

1.3.3　倍压整流电路　11

1.3.4　限幅电路　12

1.3.5　与门电路　12

*1.4　稳压管　13

稳压二极管（又叫齐纳二极管）,此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

1.4.1　稳压管的结构和特性曲线　13

1.4.2　稳压管的主要参数　14

1.5　其他类型的二极管　15

1.5.1　发光二极管　15

1.5.2　光电二极管　16

1.6　三极管　16

半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

1.6.1　三极管的结构及类型　16

1.6.2　三极管的电流放大作用　17

1.6.3　三极管的共射特性曲线　19

1.6.4　三极管的主要参数　21

1.7　场效应管　23

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

1.7.1　结型场效应管的类型和构造　23

1.7.2　绝缘栅型场效应管的类型和构造　26

1.7.3　场效应管的主要参数　30

本章小结　31

习题　31

第2章　基本放大电路　34

2.1　共发射极放大电路　34

2.1.1　电路的组成　34

2.1.2　放大电路的直流通路和交流通路　35

2.1.3　共发射极电路图解分析法　35

2.1.4　微变等效电路分析法　39

2.2　放大电路的分析　44

2.2.1　稳定工作点的必要性　44

2.2.2　工作点稳定的典型电路　44

2.2.3　复合管放大电路　47

2.3　共集电极电压放大器　48

2.4　共基极电压放大器　50

2.5　多级放大器　51

2.5.1　阻容耦合电压放大器　52

*2.5.2　共射-共基放大器　53

2.5.3　直接耦合电压放大器　55

2.6　差动放大器　57

2.6.1　电路组成　57

2.6.2　静态分析　59

2.6.3　动态分析　59

2.6.4　差动放大器输入、输出的4种组态　61

2.7　放大器的频响特性　64

2.7.1　三极管高频等效模型　64

2.7.2　三极管电流放大倍数的频率响应　66

2.7.3　单管共射放大电路的频响特性　68

2.8　场效应管基本放大电路　74

2.8.1　电路的组成　74

2.8.2　场效应管与三极管的比较　77

2.9　功率放大电路　77

2.9.1　概述　77

2.9.2　甲类功率放大电路　78

2.9.3　乙类推挽功率放大电路　79

本章小结　81

习题　82

第3章　集成运算放大器　89

3.1　概述　89

集成运算放大器（Integrated Operational Amplifier）简称集成运放，是由多级直接耦合放大电路组成的高增益模拟集成电路。它的增益高（可达60~180dB），输入电阻大（几十千欧至百万兆欧），输出电阻低（几十欧），共模抑制比高（60~170dB），失调与飘移小，而且还具有输入电压为零时输出电压亦为零的特点，适用于正，负两种极性信号的输入和输出。

模拟集成电路一般是由一块厚约0.2~0.25mm的P型硅片制成，这种硅片是集成电路的基片。基片上可以做出包含有数十个或更多的BJT或FET、电阻和连接导线的电路。

运算放大器除具有+、-输入端和输出端外，还有+、-电源供电端、外接补偿电路端、调零端、相位补偿端、公共接地端及其他附加端等。它的闭环放大倍数取决于外接反馈电阻，这给使用带来很大方便。

3.1.1　集成运放电路的特点　89

3.1.2　集成运放电路的组成框图　89

3.2　电流源电路　90

3.2.1　基本电流源电路　91

*3.2.2　以电流源为有源负载的放大器　92

3.3　集成运放原理电路和理想运放的参数　92

3.3.1　集成运放原理电路分析　92

3.3.2　集成运放的主要参数　93

3.4　理想集成运放的参数和工作区　94

3.4.1　理想运放的性能指标　95

3.4.2　理想运放在不同工作区的特征　95

3.5　基本运算电路　96

3.5.1　比例运算电路　97

3.5.2　加减运算电路　100

3.5.3　积分和微分运算电路　103

3.5.4　对数和指数(反对数)运算电路　104

本章小结　105

习题　106

第4章　正弦波振荡电路　111

4.1　概述　111

4.2　正弦波振荡电路的基本原理　111

4.2.1　正弦波振荡电路的振荡条件　111

4.2.2　振荡电路的基本组成、分类及分析方法　113

4.3　LC振荡电路　113

4.3.1　互感耦合振荡电路　114

4.3.2　三点式振荡电路　114

4.4　RC振荡电路　116

4.4.1　RC相移振荡电路　116

4.4.2　文氏桥振荡电路　117

4.5　石英晶体振荡电路　118

本章小结　120

习题　121

下篇　数字部分

第5章　数字逻辑基础　122

用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路，或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。现代的数字电路由半导体工艺制成的若干数字集成器件构造而成。逻辑门是数字逻辑电路的基本单元。存储器是用来存储二值数据的数字电路。从整体上看，数字电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。

5.1　数制与BCD码　122

5.1.1　数制　122

5.1.2　几种简单的编码　125

5.2　逻辑代数基础　126

逻辑运算又称布尔运算布尔用数学方法研究逻辑问题，成功地建立了逻辑演算。他用等式表示判断，把推理看作等式的变换。这种变换的有效性不依赖人们对符号的解释，只依赖于符号的组合规律 。这一逻辑理论人们常称它为布尔代数。20世纪30年代，逻辑代数在电路系统上获得应用，随后，由于电子技术与计算机的发展，出现各种复杂的大系统，它们的变换规律也遵守布尔所揭示的规律。逻辑运算 (logical operators) 通常用来测试真假值。最常见到的逻辑运算就是循环的处理，用来判断是否该离开循环或继续执行循环内的指令。

5.2.1　与运算　126

5.2.2　或运算　127

5.2.3　非运算　128

5.2.4　复合运算　129

5.2.5　正逻辑和负逻辑　130

5.3　逻辑代数的基本关系式和常用公式　131

5.3.1　逻辑代数的基本关系式　131

5.3.2　基本定律　132

5.3.3　常用的公式　133

5.3.4　基本定理　134

5.4　逻辑函数的表示方法　135

5.4.1　逻辑函数的表示方法　135

5.4.2　逻辑函数的真值表表示法　135

5.4.3　逻辑函数式　136

5.4.4　逻辑图　138

5.4.5　工作波形图　138

5.5　逻辑函数式的化简　139

5.5.1　公式化简法　139

5.5.2　逻辑函数的卡诺图化简法　140

5.5.3　具有无关项的逻辑函数的化简　145

5.6　研究逻辑函数的两类问题　146

5.6.1　给定电路分析功能　146

5.6.2　给定逻辑问题设计电路　148

本章小结　150

习题　151

第6章　门电路　154

6.1　概述　154

逻辑门（Logic Gates)是在集成电路(Integrated Circuit)上的基本组件。简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门(Exclusive OR gate)（也称：互斥或）等等。逻辑门可以组合使用实现更为复杂的逻辑运算。

6.2　分立元件门电路　155

6.2.1　二极管与门电路　155

6.2.2　二极管或门电路　156

6.2.3　三极管非门电路　156

6.3　TTL集成门电路　158

6.3.1　TTL非门电路　158

6.3.2　TTL与非门及或非门电路　161

6.3.3　集电极开路的门电路　163

6.3.4　三态门电路　165

6.4　CMOS门电路　168

6.4.1　CMOS反相器电路的组成和工作原理　168

6.4.2　CMOS与非门电路的组成和工作原理　169

6.4.3　CMOS或非门电路的组成和工作原理　169

6.4.4　CMOS传输门电路的组成和工作原理　171

6.5　集成电路使用知识简介　172

6.5.1　国产集成电路型号的命名法　172

6.5.2　集成门电路的主要技术指标　172

6.5.3　多余输入脚的处理　173

6.5.4　TTL与CMOS的接口电路　173

本章小结　175

习题　175

第7章　组合逻辑电路　178

7.1　概述　178

组合逻辑电路是指在任何时刻，输出状态只决定于同一时刻各输入状态的组合，而与电路以前状态无关，而与其他时间的状态无关。其逻辑函数如下：

Li=f（A1，A2，A3……An） (i=1，2，3…m)

其中，A1~An为输入变量，Li为输出变量。

组合逻辑电路的特点归纳如下：

① 输入、输出之间没有返馈延迟通道；

② 电路中无记忆单元。

对于第一个逻辑表达公式或逻辑电路，其真值表可以是惟一的，但其对应的逻辑电路或逻辑表达式可能有多种实现形式，所以，一个特定的逻辑问题，其对应的真值表是惟一的，但实现它的逻辑电路是多种多样的。在实际设计工作中，如果由于某些原因无法获得某些门电路，可以通过变换逻辑表达式变电路，从而能使用其他器件来代替该器件。同时，为了使逻辑电路的设计更简洁，通过各方法对逻辑表达式进行化简是必要的。组合电路可用一组逻辑表达式来描述。设计组合电路直就是实现逻辑表达式。要求在满足逻辑功能和技术要求基础上，力求使电路简单、经济、可靠、实现组合逻辑函数的途径是多种多样的，可采用基本门电路，也可采用中、大规模集成电路。其一般设计步骤为：

① 分析设计要求，列真值表；

② 进行逻辑和必要变换。得出所需要的最简逻辑表达式；

③ 画逻辑图。

7.1.1　组合逻辑电路的特点　178

7.1.2　组合逻辑电路的分析和设计方法　178

7.2　常用组合逻辑电路　179

7.2.1　编码器　179

编码器（encoder）是将信号（如比特流）或数据进行编制、转换为可用以通讯、传输和存储的信号形式的设备。编码器把角位移或直线位移转换成电信号，前者称为码盘，后者称为码尺。按照读出方式编码器可以分为接触式和非接触式两种；按照工作原理编码器可分为增量式和绝对式两类。增量式编码器是将位移转换成周期性的电信号，再把这个电信号转变成计数脉冲，用脉冲的个数表示位移的大小。绝对式编码器的每一个位置对应一个确定的数字码，因此它的示值只与测量的起始和终止位置有关，而与测量的中间过程无关。

编码器可按以下方式来分类。

1、按码盘的刻孔方式不同分类

（1）增量型：就是每转过单位的角度就发出一个脉冲信号(也有发正余弦信号，

然后对其进行细分，斩波出频率更高的脉冲)，通常为A相、B相、Z相输出，A相、B相为相互延迟1/4周期的脉冲输出，根据延迟关系可以区别正反转，而且通过取A相、B相的上升和下降沿可以进行2或4倍频；Z相为单圈脉冲，即每圈发出一个脉冲。

（2）绝对值型：就是对应一圈，每个基准的角度发出一个唯一与该角度对应二进制的数值，通过外部记圈器件可以进行多个位置的记录和测量。

2、按信号的输出类型分为：电压输出、集电极开路输出、推拉互补输出和长线驱动输出。

3、以编码器机械安装形式分类

（1）有轴型：有轴型又可分为夹紧法兰型、同步法兰型和伺服安装型等。

（2）轴套型：轴套型又可分为半空型、全空型和大口径型等。

4、以编码器工作原理可分为：光电式、磁电式和触点电刷式

7.2.2　优先编码器　181

7.2.3　译码器　185

译码器是组合逻辑电路的一个重要的器件，其可以分为：变量译码和显示译码两类。 变量译码一般是一种较少输入变为较多输出的器件，一般分为2n译码和8421BCD码译码两类。 显示译码主要解决二进制数显示成对应的十、或十六进制数的转换功能，一般其可分为驱动LED和驱动LCD两类。

译码是编码的逆过程，在编码时，每一种二进制代码，都赋予了特定的含义，即都表示了一个确定的信号或者对象。把代码状态的特定含义“翻译”出来的过程叫做译码，实现译码操作的电路称为译码器。或者说，译码器是可以将输入二进制代码的状态翻译成输出信号，以表示其原来含义的电路。

根据需要，输出信号可以是脉冲，也可以是高电平或者低电平。

7.2.4　显示译码器　189

7.2.5　数据选择器　191

7.2.6　加法器　195

7.2.7　数值比较器　198

7.3　组合逻辑电路中的竞争-冒险现象　199

7.3.1　竞争-冒险现象　199

7.3.2　竞争-冒险现象的判断方法　200

本章小结　201

习题　202

第8章　触发器和时序逻辑电路　205

8.1　概述　205

8.2　触发器的电路结构与工作原理　205

8.2.1　基本RS触发器　205

8.2.2　同步RS触发器的电路结构与工作原理　208

8.2.3　主从RS触发器的电路结构与工作原理　209

8.2.4　由CMOS传输门组成的边沿触发器　213

8.3　触发器逻辑功能的描述方法　214

8.3.1　RS触发器　214

8.3.2　JK触发器　215

8.3.3　D触发器　216

8.3.4　T触发器　216

8.3.5　触发器逻辑功能的转换　217

8.4　时序逻辑电路的分析方法和设计方法　219

8.4.1　同步时序电路的分析方法　219

8.4.2　异步时序逻辑电路的分析方法及举例　223

8.4.3　同步时序电路的设计方法　224

8.5　常用的时序逻辑电路　228

8.5.1　寄存器和移位寄存器　228

8.5.2　同步计数器　231

8.5.3　移位寄存器型计数器　244

8.6　时序逻辑电路分析设计综合例题　246

本章小结　248

习题　249

第9章　脉冲产生和整形电路　253

9.1　概述　253

9.2　555定时器的应用　253

9.2.1　555定时器的电路结构　253

9.2.2　用555定时器组成施密特触发器　255

9.2.3　用555定时器组成单稳态电路　256

9.2.4　用555定时器组成多谐振荡器　258

9.2.5　555定时器的应用电路　260

9.3　石英晶体多谐振荡器　262

9.4　压控振荡器　263

本章小结　264

习题　264

第10章　数/模和模/数转换器　266

10.1　概述　266

10.2　数/模转换器　266

10.2.1　权电阻网络D/A转换器　266

10.2.2　倒T形电阻网络D/A转换器　268

10.3　模/数转换器　269

10.3.1　A/D转换器的基本组成　269

10.3.2　直接A/D转换器　271

10.3.3　间接A/D转换器　275

10.4　A/D和D/A的使用参数　276

10.4.1　A/D和D/A的转换精度　276

10.4.2　A/D和D/A的转换速度　277

本章小结　277

习题　277

第11章　半导体存储器和可编程逻辑器件　279

11.1　半导体存储器　279

11.1.1　只读存储器　279

11.1.2　ROM的扩展及应用　281

11.1.3　几种常用的ROM　283

11.2　可编程逻辑器件　284

11.2.1　PLD的连接方式及基本门电路的PLD表示法　285

11.2.2　可编程阵列逻辑　286

11.2.3　可编程通用阵列逻辑器件的基本结构　288

11.2.4　在系统可编程逻辑器件　290

11.3　可编程逻辑器件的编程　296

11.3.1　PLD的开发系统　296

11.3.2　PLD编程的一般步骤　297

11.4　CPLD及FPGA简介　297

11.4.1　CPLD及FPGA基本结构　297

11.4.2　FPGA/CPLD设计流程　300

本章小结　302

习题　302

附录A　常用数字集成电路型号及引脚　306

怎样判断半导体是N型还是P型？具体阐述。谢谢～

怎样判断半导体是N型还是P型？具体阐述。谢谢～

1、用霍尔效应：两端通电，在内部会形成稳定电流，但在半导体的上下表面是没有电位差的；然后在半导体的两个对面的侧，加一个面磁场，这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差（因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转），因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。

2、如果条件允许，你找一个掺杂已知的半导体，然后把他们粘到一起，组成个整体结，分别测两端电流导通情况，如果出现不能导通情况，则说明未知的和已知的相反，如果都导通，则相同。（瞎猜的） 怎样判断霍尔元件是P型还是N型半导体

将电路接好后，（有的是开漏极的，需加上拉电阻）

无磁性物体接近的情况下，去量它的预设输出状态。

如果输出高的话就是N型的，输出低的话就是P型的。

或者直接看datasheet，里面都有描述，框图一般都会画出来的。 阐述什么是半导体p-n结

以电子为多数载流子的半导体和以空穴为多数载流子的半导体通过冶金等方法结合在一起，结合处就是pn结了

怎么用霍尔法判断N型半导体和P型半导体

当Is与Im都为正值时，霍尔电压Vh为正则为p型。为负是n型

P型半导体是什么N 型半导体是什么？

型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷；

N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；

在半导体材料矽或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN接面，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN接面上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小 ）

p-n结的p型半导体和n型半导体是接触的还是之间有缝隙？

是直接连线在一起的，分点接触型和面接触型，整流管等大功率的就是面接触，接触面大，可以承受更大功率。

如何判断施主杂质和n型半导体，受主杂质和p型半导体

化学元素周期表中3主族元素为受主杂质，5主族为施主杂质。

半导体中受主杂质占主导地位为P型，施主杂质占主导地位为N型 p型半导体和n型半导体的区别 怎样形成的

如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或矽的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。

如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或矽）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。这些材料就变成了半导体。因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型半导体。也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。 怎么使N型半导体变成P型半导体？什么条件下可以使N型半导体变成P型半导体？

N型半导体就是导电载流子是电子，P型半导体就是导电载流子是空穴。

N型半导体中之所以是电子导电是因为其在本征半导体基础上进行了施主掺杂（例如在本征Si中掺入5价的磷元素） 而P型半导体中之所以是空穴导电是因为其在本征半导体基础上进行了授主掺杂（例如在本征Si中掺入3价的硼元素） Si为4价

所以假设要想把磷掺杂量为X的N型半导体转为P型当然就是在此N型半导体中掺入大于X量的磷（当然具体掺杂量与工艺及材料有关）

半导体的掺杂等工艺要在超净间中进行，掺杂是半导体工艺中的一步，主要的掺杂方法有离子注入和热扩散 N型半导体和P型半导体的异同

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的矽晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电效能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的矽晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电效能就越强。

本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成巨集观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多，

GR靶基因

作为配体依赖性转录因子家族成员之一的糖皮质激素受体(GR),通常以激素游离型和激素结合型两种状态自由穿梭于细胞质和细胞核之间,这种核质间运动的平衡状态决定着胞质与胞核任何一方中GR是否处于主导地位,从而影响细胞的多种生理功能.GR转移和作用的发挥有赖于胞浆中多种辅助蛋白,即受体附件蛋白的参与,主要有免疫亲合蛋白(FKBP51,FKBP52),共分子伴侣BAG-1及热休克蛋白(HSPs)等.而受体蛋白介导的信号传导与平衡调节的维持主要由受体附件蛋白来完成.本文主要对受体附件蛋白的效能和与GR的相互作用的新模型及与之相关的疾病和治疗予以介绍.

受体附件蛋白(RAPs)与GR的相互作用

1.1免疫亲合蛋白(immunophilin) 免疫亲和蛋白因与免疫抑制剂FK506和环孢素A高亲和力结合而命名.大分子量免疫亲和蛋白分子FK506结合蛋白-51,-52(FKBP51,FKBP52)及环孢素A(CSA)结合环蛋白-40(Cyp40)具有序列同源性和组织结构相似性.其NH2末端基序具有肽基脯氨酰基异构酶(PPIases)活性,能够使靶蛋白脯氨酰肽键从顺构体变成逆构体.其COOH末端基序包含3个三十四肽重复序列,能够在蛋白-蛋白反应时使34个重复氨基酸降解.大分子量免疫亲和蛋白具有与许多不同的分子发生相互反应的功能,通过与磷酸酶PP5竞争结合GR复合物中HSP90的TPR接受位点来调节受体活性.

FKBP51和FKBP52是具有不同生化功能的FK506结合大分子量免疫亲和蛋白.在类固醇激素受体复合物的形成过程中发挥着重要作用.FKBP5s作为PPIases主酶家族成员之一,其基因位于6q21.3-21.2,主要参与细胞的三种不同生理过程,即核受体的辅助,钙释放通道的开放和受体蛋白激酶的激活.其形成核受体异源复合物的多区间肽基脯氨酰基顺反异构酶活性广泛存在,并且与HSP90一同使受体蛋白处于功能折叠状态.在哺乳动物中FKBP51和FKBP52对GR的调节是主要通过两个不同的水平:激素结合和核转移来进行的.

1.1.1 FKBP51 微分显示和基因分析发现FKBP51是一孕酮可诱导基因分子,命名为FKBP54,p54或FF1Ag.与灵长类相比,其氨基酸的94%,PPIases区间的92%和三十四肽重复域(TPR)的99%相同[1].和人FKBP52一样,其结构含2个FKBP区和3个TPR基序.

在灵长类动物受孕酮刺激而表达增加的FKBP51可以削弱孕酮的反应性,明显降低GC对GR的结合及GR的活性.尽管过度表达的FKBP51可能是使孕酮受体(PR)复合物结合力降低并且是诱发孕酮抵抗的原因之一,而且免疫抑制剂FK506和雷帕霉素(rapamycin,RPM,昔罗莫同sirolimus)通过作用于FKBP51来诱导改变GC与GR的结合参与GC抵抗,但FKBP51依然是游离型高亲合力GR复合物的常规成员之一.GR信号的传导受到与FKBP51对PR相同方式的调节,而且猴体FKBP51的过度表达是引起孕酮抵抗的诱发因素之一[1],然而,这是否意味着一种对于其它类固醇激素的抵抗都适用的通用机制的存在值得探讨.

最初认为FK506能够在酵母中加强PR介导的转录,但过度表达的FKBP51并不影响GR作用的发挥 [2],后来证实这种加强效果是对FK506敏感性类固醇外流机制抑制的结果.FK506能够抑制孕酮和GC诱导的T-47D细胞转录及醛固酮介导的RC.SV3肾小管细胞的转录[3],说明FK506效能的发挥并不是特异地针对一种受体类型.近期研究发现:①孕酮对FKBP51的诱导不依赖于蛋白的合成,但可以被孕酮受体(PR)拮抗剂RU486所阻断;②人FKBP51启动子报告基因结构包含的约0.4kb的上游序列显示出孕酮反应性;③用人FKBP51 cDNA表达的质粒转导HepG2细胞能够使孕酮剂量反应曲线右移 [4];④ FKBP51 mRNA分别受到GC,孕酮和雄激素的诱导;⑤多个基因的PR依赖性诱导可能是通过与启动子相近的Sp1位点的相互反应有关[5],这些都表明FKBP51在基因转录水平受到类固醇的诱导并参与对类固醇受体活性的调节.电泳分析显示孕酮受体结合于激素反应元件(HRE)的内显子E1,而PR和GR两者共同和HRE的内显子E2反应,这说明GC和孕酮对FKBP51的转录调节有赖于内显子远端序列[6].突变实验表明FKBP51基因的改变会阻断与HSP90的结合而同时其抑制效果消失,这种效能可能是通过与PR复合物的HSP90相互反应而被介导.因此,通过对PR介导的FKBP51的诱导,表达增加的孕酮参与调节FKBP51对孕酮的后续反应,进而建立一个短的负反馈环,通过此环GC的敏感性及活性受到一定的影响.值得注意的是,FKBP51内在的PPIases活性对GR功能并不起作用,而很有可能有赖于位于TPR区内的氨基酸序列[1].

1.1.2 FKBP52 FKBP52是一个表达广泛的FK506结合免疫亲合蛋白,也叫HSP56,p52,FKBP59或HBI, 具有PPIases活性和参与蛋白-蛋白反应的三十四肽重复序列.FKBP52在类固醇受体功能发挥上具有重要作用,同时参与多种其它生理过程,包括对生长和发育的调节,转录调节,阳离子通道(果蝇TRPL钙通道)活性调控[7],基因转换效率的调节,神经保护和调节心肌营养素-1(CT-1)的心肌营养作用等.

FKBP52通过其PPIases特性调节GR的受体结合能力和加强GR依赖的转录活性,但是,PPIases缺陷的FKBP52仍然能和动力蛋白反应,却强烈地抑制GR依赖的转录.另外,FKBP52对GR信号的有效调节还依赖于其和HSP90的反应及和动力蛋白的结合:一方面酪蛋白激酶II磷酸化的Thr143位于2个 FKBP同源区的绞链部分,控制着FKBP52对HSP90的结合特性.FKBP52通过与其它TPR蛋白竞争性结合于TPR区使其与HSP90相互作用而附属于GR异源复合物;另一方面FKBP52与GC活化受体移动密切相关,经由与PPIases区的结合来调节信号传导[8],而且通过与微管动力蛋白(Dynein)反应使GR顺细胞骨架向核内转移.

1.2 共分子伴侣BAG-1 作为核受体蛋白伴侣分子的BAG-1,在与视黄酸受体(RAR)作用引起对RAR结合DNA 反应元件与RAR依赖性转录的抑制调节的同时,GR的转录活性也受到明显影响.最初由于BAG-1和抗凋亡因子Bcl-2相关而得以确认,现在发现BAG-1具有参与调节细胞凋亡,肿瘤发生,神经元分化及与包括GR在内的许多胞内调节蛋白反应等的多种重要生理及病理过程.BAG-1通过结合于GR绞链区而抑制GR对DNA的结合以及GR的受体转录活性,从而发挥GR负性调控因子的作用,也叫GR相关蛋白46(RAP46) [9].而且BAG-1通过与HSP70相互作用对GR发挥分子伴侣调节因子的作用,故也称作HSP70或HSC70相关蛋白(HAP46)[10].

BAG-1与HSP70反应蛋白(HIP)的刺激活性相竞争,而HIP反过来对BAG-1的GR结合GC负性调节作用产生拮抗[11].BAG-1对GR依赖性转录的抑制与其HSP70反应区相关, BAG-1与HSP70的结合点和与DNA的结合点共处于一个分子上.BAG-1不仅影响GR的折叠和相关转录活性,而且直接以非特异性方式结合于DNA并激活非GR依赖靶基因的转录,此活性可以通过对其N末端10个氨基酸的去除而消失.另外,BAG-1依赖其C末端的HSP70结合区可以转移入胞核后再与GC或GR结合起作用.最近研究显示,BAG-1对GR依赖性转录的抑制作用是通过其C末端首部8个氨基酸实现的,而不是富丝-苏氨酸E2X4区;而BAG-1对DNA的直接结合可能是因为N末端正电荷与DNA磷酸骨架负电荷的相互作用有关[12].

1.3 热休克蛋白(HSPs) HSPs是一个广泛存在于生物细胞内的蛋白质超家族,包括HSP110,-90,-70,-60,-40,-27及-10等,参与细胞的多种生理及病理过程,不仅在应激条件下维持细胞必需的蛋白质空间构象,保护细胞生命活动,而且具有促进蛋白质分子折叠,跨膜转运,移位及细胞骨架稳定等基本生理功能,同时参与免疫调节,细胞凋亡,热耐受,抗病毒感染及抗肿瘤等.其中,多个HSPs成员由于能够结合并稳定其它蛋白质多肽,减少胞内蛋白质错误折叠和聚集,控制激活/非激活状态开关,并且不构成被介导蛋白质的组成成分而被列为分子伴侣.对GR功能发挥起主要作用的HSPs是HSP 70和HSP90分子.

HSP70直接参与并促进细胞内蛋白质从初生链的合成到多亚基复合体折叠,装配的整个生物过程.在细胞内,HSP70 一方面可以识别错装和变性的蛋白,并结合成一种复合体,使肽链中错配的部分得以纠正或直接通过蛋白分解作用降解它们;另一方面HSP70 也可以对抗细胞内正常蛋白的降解.HSP70 通过蛋白拆叠作用参与蛋白质向内质网的易位,以利于维持酶的动力学特征,维护细胞功能,业已清楚,HSP70 的分子伴侣作用依赖于细胞内ATP 的循环反应,ATP-ADP 的相互转换反应同HSP70与多肽的结合与解离的过程相偶联. HSP70对GR辅助作用的发挥受到多个分子如BAG-1,HSP40,HSP70反应蛋白(HIP)及HIP C末端等的调节:来源于同一基因不同翻译起始位点的 BAG-1均可抑制HSP70依赖的蛋白质再折叠活性;HSP40能够加强体外HSP70 ATP酶的活性及HSP70依赖的再折叠,从而稳定GR;与HIP的 HSP70分子伴侣活性正调控因子特性不同的是,HIP C末端发挥对HSP70 ATP酶活性的抑制作用并干扰HSP70底物复合物的稳定性[13].

HSP90蛋白表达的改变或基因型的突变与GC反应性的下降和GR效能的降低密切相关.HSP90和FKBP52的PPIases区与受体蛋白GR作用保持其处于功能折叠状态,从而对GR功能的发挥产生重要调控.格尔德霉素(geldanamycin)及其低毒性衍生物17-AAG作为HSP90 分子伴侣作用的抑制物,通过与ATP/ADP竞争性结合于HSP90,可引起包括类固醇激素受体在内的多种信号蛋白的降解[14],这对HSP90通过GR参与细胞功能调节机制的进一步认识具有重要意义.

1.4 受体附件蛋白与GR活化新模型 GR由800aa组成单链磷蛋白,蛋白质结构主要包括几个独立的功能区:①DNA结合区(DBD),由80aa残基构成,其中心部分为两个能与DNA双螺旋的大沟结合的锌指结构,负责与靶基因启动子或增强子上的GC反应元件(GRE)结合;②COOH末端的激素结合区(HBD),除了结合激素配体外,还参与形成GR二聚体及结合HSPs;③NH2末端的免疫原区(ID),具有特异性抗原活性,含有多个可磷酸化的丝-苏氨酸E2X4位点,参与GR对靶基因的反式激活转录;④邻近HBD的Taul区,主要参与GR的核内转位.

无配基存在时,GR存在于胞浆中与多种伴侣分子形成的300KDa的蛋白复合物结合处于激素竞争状态.此过程的中心环节是HSP90,HSP70,HSP70/HSP90组合蛋白(HOP)及HIP,HSP90结合于GR的COOH末端,参与GR的折叠构型并防止其自胞浆向核内转位,四者随同HSP40一起与GR形成初始复合物;随之HSP70,HIP和HOP可能脱离使p23和FKBP51进入,形成ATP依赖的终末复合物,使GR获得GC结合竞争力;具有结合GC竞争力的终末复合物在募集动力蛋白的同时,与进入胞质的配基GC结合,发生FKBP52与FKBP51的互相交换,由FKBP52取代FKBP51,最终以GR活化复合物2HSP90/P23/HSP40/FKBP52/Dynein/GR/GC形式移入核内,入核后甾体受体附件蛋白与GC/GR分离,有活性的GR即可识别糖皮质激素反应元件(GRE)序列,由于GRE位于GC目的基因的启动子区域,故可诱导或阻抑目的基因的表达而发挥效应.

研究发现,HSP70和HSP90不仅在胞浆中发挥作用:HSP70在活化的GR和BAG-1入核过程中起辅助作用[15],HSP90参与亚细胞底物转移和染色质GR的再循环,同时HSP90反应分子p23参与染色质装配和GR活化调节[16].和p23依赖HSP90一样,BAG-1依赖于HSP70在核内发挥着使转录复合物解离的功能[12].此模型GR信号传导过程中,FKBP52与HSP90直接反应,FKBP51与FKBP52之间的互相交换对GR达到活化与复合物转移至关重要.其中FKBP52对GR的核内转移不可或缺,而FKBP51则引导GR出核与HSP90一道参与GR再循环[17].(见附图)

受体附件蛋白及GR相关疾病和治疗

FKBPs,BAG-1和HSPs在GR信号传导中可能与GR功能失调相关的多种疾病关系密切.首先,由于GR的突变或HSP90功能的限制而引起GR作用发挥异常;再者,不论是GR的抑制性共分子伴侣BAG-1还是激动性分子FKBP5都是导致GC抵抗的重要原因[18].何庆南等研究发现激素抵抗型原发性肾病综合症(NS)除了受体内总GR水平的增减影响外;在GR总体不变时,GRα和GRβ两种亚型表达比例失衡,GRβ表达亢进,GRα表达低下可能是导致NS患者GC抵抗更为重要的原因[19].

GR介导的MAPK失活对细胞的存活有利,即使细胞凋亡减弱,肿瘤扩大[20].HSPs通过参与Fas死亡受体途径,caspase途径和JNK/SAPK途径在细胞生长和凋亡过程中发挥重要作用[21].HSP70 通过结合并抑制应激活化蛋白激酶(JNK)的活性,以及与Bcl-2 家族抗凋亡相同的机制抑制细胞的凋亡,主要包括在caspase 活化的上游和下游分别抑制caspase3 和caspase9 的活性及其前体加工而阻断细胞凋亡途径;抗细胞凋亡的多功能蛋白BAG-1为热休克同源蛋白70(HSC70)及HSP70 的ATP-ADP 循环的核苷酸转换因子,通过调节HSP70 的伴侣活性来获得抗凋亡功能.因此,通过对MAPK及各相关传导途径的调节,使GR和HSPs在不同疾病过程中显现不同的调节作用,即抑制或促进ERK和JNK磷酸化,反过来减低或增加ELK磷酸化和许多ELK-1依赖的靶基因的表达,从而达到治疗目的.

GC使白血病细胞FKBP51的基因转录上调.这些基因则位于GC诱导的凋亡蛋白家族Bcl-2的上游.即使在蛋白合成抑制剂放线菌酮存在时,GC也能诱导此基因的表达上调,这说明FKBP5直接引导GR的靶基因.FKBP5内含子2具有GC反应元件,参与GC的反应性.此反应元件由一个完整的(A/T)G(A/T)(A/T)C(A/T)序列和两个被2-4个核苷酸分裂形成的不完整的 (A/T)G(A/T)(A/T)C(A/T) 序列上下包围组成.因此,在白血病和淋巴瘤病人对GC靶基因表达的调控可能会提高治疗的有效性[22].

鉴于免疫细胞在全身炎症反应综合症(SIRS) 发生中的重要作用,HSPs 在单核/巨噬细胞及中性粒细胞中的表达对SIRS 的发生,发展及转归意义尤为重要.HSPs 通过抑制NF-κB 的核转运来和诱导I-κB基因的表达调节促炎介质的表达,因而间接下调促炎细胞因子的表达.此外,用转基因的方法诱导细胞表达HSP70 可以减轻H2O2 介导的蛋白氧化,脂质过氧化,从而起到细胞保护的作用.HSPs 通过抗凋亡,抗炎及分子伴侣作用机制对SIRS病理损害起到保护作用.

FKBP5的多态性与应激状态的易发性和对抗应激治疗的快速反应密切相关,从而与胞质GR功能的适应性变化相联系,这不仅使失调的下丘脑-垂体-肾上腺(H-P-A)轴快速趋于正常,并且导致应激时GC超反应的发生[23].通过对FKBP5的相应调节处理,使GR功能和H-P-A轴更易发挥有利的作用可能在应激性疾病中是一个比较理想的施治措施.FK506预处理可减轻内毒素所致是急性肝损伤,其可能是通过降低血清TNF-α,IL-1β含量,下调炎症反应而发挥抗炎作用[24].

FKBP凋亡序列蛋白转基因老鼠心衰模型研究显示,FKBP凋亡序列蛋白突变老鼠存在心肌的自发性病理死亡,而抑制心肌细胞在心衰时的凋亡,有利于心肌舒缩功能失常的改善.说明FKBP凋亡序列蛋白的活化和心肌凋亡是引起心衰的因果机制之一,通过对此过程的抑制,可能是心衰的一个基础性新型治疗方案[25].雷帕霉素(RPM)是31环组成的三烯大内酯环类化合物,其结构与PK506相像,亲脂性强,RPM通过不同的细胞因子受体阻断信号传导,阻断T淋巴细胞及其他细胞由G1期至S期的进程,从而发挥免疫抑制和抗细胞增殖效应,是比FK506或环孢菌素A(CSA)更有效的免疫抑制剂,毒副作用明显比CSA和FK506小.在体外通过抑制细胞分裂周期激酶和视网膜母细胞瘤蛋白磷酸化来抑制人和鼠动脉平滑肌细胞的分裂和移动,这有利于防止经皮冠状动脉成形术后冠脉再狭窄及心脏移植术后速发性动脉病的发生.

免疫亲合蛋白的配体FK506是从土壤真菌中提取的一种大环内酯类抗生素,分子式C44H69NO12.H2O,分子量为822.05Da,具有神经营养药物特性.近年来的研究发现, FK506的受体—免疫亲合蛋白在脑内大量存在,尤其在神经损伤时能够急剧上调.体内外研究均显示,FK506及其人工合成的结构拟似物对多种神经元(包括DA能神经元)有促进轴突生长和神经保护作用.因此,针对免疫亲合蛋白构效关系的药物设计已成为治疗帕金森病(PD)药物研究的新热点[26].

他克莫司霜(tacrolimus,FK506)作用的主要靶细胞为T淋巴细胞,通过与特异胞浆蛋白即免疫亲合蛋白(immunophilin)或FK506结合蛋白(FKBP)紧密结合,进而发挥抑制早期淋巴细胞相关基因表达的作用;此外,它还能抑制皮肤肥大细胞IgE介导的释放组胺作用,主要适应于中重度特应性皮炎的治疗[27].

利用组织芯片免疫组化法,检测乳腺癌,直肠癌,癌旁组织及正常组织中BAG-1的表达,结果表明,组织芯片中BAG-1在乳腺癌,直肠癌组织中的表达比其癌旁及正常组织中均高,乳腺癌,直肠癌组织中BAG-1的高表达,提示BAG-1可能参与了乳腺癌,直肠癌细胞凋亡与分化的调控[28].这可能为乳腺癌和直肠癌的诊断与治疗提供了一个比较直接的介入方法.

3. 展望

(1)FKBP5在人和微生物如酵母中起着不同的作用,而GR在酵母中的信号传导是否受到FKBP5结合动力蛋白Dynein的影响需要进一步验证.

(2)FKBP5与GR作用时有多个反应区的参与,而进一步研究需说明FKBP5的其它活性区域在GR相关功能上的精确调节作用.

(3)ATP在GR终末复合物转移过程中至关重要,而p23对转录调节复合物的重要调节是否也是ATP依赖性的依然未明.

(4)新模型中,BAG-1对DNA的结合是否意味着其它重要功能的存在;并且此模型是否也适用于其它核受体值得研究.

(5)受体附件蛋白参与GR功能调节,在多种疾病包括炎性疾病在内,GC抵抗时,其中促炎细胞因子巨噬细胞移动抑制因子(MIF)是否与受体附件蛋白间存在联系需进一步探讨.

(6)感染性休克时,胞内NO的产生增加,而NO反过来影响GC作用的有效发挥,因此,NO,iNOS,受体附件蛋白,MIF,GR,GC以及其它促/抗炎因子之间是否存在复杂的相互调控关系,需进行大量实验来证明.

(7)GC的分泌受到ACTH的调控,而ACTH作用于GC时需有Ca2+的参与,Ca2+对GC活化GR具有重要作用,因此Ca2+,受体附件蛋白,GR及GC间的相互关系如何需待验证.

(8)免疫亲合蛋白配体之一的FK506 除了有免疫抑制作用外,还有神经营养作用,进一步的研究证实,这两种作用是相互独立的,提示有可能单纯利用FK506 的神经营养活性来促进神经生长而不影响机体的免疫功能.如何利用上述免疫抑制剂的免疫抑制作用和FK506 的神经营养作用,用于临床周围神经损伤修复,抑制神经损伤后自体免疫反应,促进神经修复,再生和功能恢复,具有一定的探讨价值.

(9)HSPs 抗氧化的机制可能与如下作用有关1)使氧化剂血红素蛋白耗竭;2)产生抗氧化剂-胆绿素,胆红素;3)提高细胞内游离铁水平,使铁蛋白表达上调;4)提高细胞cGMP 的基础水平;此需进一步实验验证.

(10)进一步的研究需澄清:1)在SIRS 发展过程中,细胞因子和炎性介质的水平与免疫细胞HSP70 表达的关系以及HSP70 表达能力与水平对预后的影响;2)寻找理想的HSPs诱导药物或完善基因治疗方法,对不同细胞HSPs 表达的干预可能将成为预防和治疗SIRS 及其他急危重病的新措施.

气体传感器有哪些分类

一，半导气体传感器

这种类型的传感器在气体传感器中约占60%，根据其机理分为电导型和非电导型，电导型中又分为表面型和容积控制型.

(1 ) SnO2半导体是典型的表面型气敏元件，其传感原理是SnO2为n 型半导体材料。当施加电压时，半导体材科温度升高，被吸附的氧接受了半导体中的电子形成了O2或O2原性气体H2、CO、CH4存在时，使半导体表面电阻下降，电导上升，电导变化与气体浓度成比倒。NiO为p型半导体，氧化性气体使电导下降，对O2敏感。ZnO半导体传感器也属于此种类型。

半导体气体传感器

a. 电导型的传感器元件分为表面敏感型和容积控制型，表面敏感型传感材料为SnO2+Pd 、ZnO十Pt 、AgO、V 205 、金属酞青、Pt —SnO2。 表面敏感型气体传感器可检测气体为各种可燃性气体C0、NO2、 氟利昂。传感材料Pt —SnO2 的气体传感器可检测气体为可燃性气体CO、H2、CH4 。

b. 容积控制型传感材料为Fe2O8、la1-SSrxCOO8 和TiO2、CoO-MgO —SnO2体传感器可检测气体为各种可燃性气体CO、NO2 氟利昂。。传感材料Pt —SnO2

容积控制型半导体气体传感器可检测气体为液化石油气、酒精、空燃比控制、燃烧炉气尾气。

( 2) 容积控制型的是晶格缺陷变化导致电导率变化，电导变化与气体浓度成比例关系。

Fe2O8、TiO2属于此种，对可燃性气体敏感。

(3) 热线性传感器，是利用热导率变化的半导体传感器，又称热线性半导体传感器，是在Pt 丝线圈上涂敷SnO2层，Pt丝除起加热作用外，还有检测温度变化的功能。施加电压半导体变热，表面吸氧，使自由电子浓度下降，可燃性气体存在时，由于燃烧耗掉氧自由电子浓度增大，导热率随自由电子浓度增加而增大，散热率相应增高，使Pt 丝温度下降，阻值减小，P t丝阻值变化与气体浓度为线性关系。

这种传感器体积小、稳定、抗毒，可检测低浓度气体，在可燃气体检测中有重要作用。

( 4) 非电导型的FET场效应晶体管气体传感器，Pd —FET．场效应晶体管传感器，利用Pd 吸收H z 并扩散达到半导体Si 和Pd的界面，减少Pd 的功函，这种对H2、CO敏感。非电导型FET场效应晶体管气体传感器体积小，便于集成化，多功能，是具有发展前途的气体传感器。

二，固体电解质气体传感器

这种传感器元件为离子对固体电解质隔膜传导，称为电化学池，分为阳离子传导和阴离子传导，是选择性强的传感器，研究较多达到实用化的是氧化锆固体电解质传感器，其机理是利用隔膜两侧两个电池之间的电位差等于浓差电池的电势。稳定的氧化铬固体电解质传感器已成功地应用于钢水中氧的测定和发动机空燃比成分测量等。

为弥补固体电解质导电的不足，近几年来在固态电解质上镀一层气敏膜，把围周环境中存在的气体分子数量和介质中可移动的粒子数量联系起来。

三，接触燃烧式气体传感器

接触燃烧式传感器适用于可燃性气H2、CO、CH4的检测。可燃气体接触表面催化剂

Pt 、Pd 时燃烧、破热，燃烧热与气体浓富有关。这类传感器的应用面广、体积小、结构简单、稳定性好，缺点是选择性差。

四，电化学气体传感器

电化学方式的气体传感器常用的有两种

( 1 )恒电位电解式传感器

是将被测气体在特定电场下电离，由流经的电解电流测出气体浓度，这种传感器灵敏度高，改变电位可选择的检洌气体，对毒性气体检测有重要作用。

( 2) 原电池式气体传感器

在KOH电解质溶液中，Pt —Pb或Ag —Pb 电极构成电池，已成功用于检测O2，其灵敏度高，缺点是透水逸散吸潮，电极易中毒。

五，光学气体传感器

( 1 )直接吸收式气体传感器

红外线气体传感器是典型的吸收式光学气体传感器，是根据气体分别具有各自固有的光谱吸收谱检测气体成分，非分散红外吸收光谱对SO2、CO、CO2、NO等气体具有较高的灵敏度。

另外紫外吸收、非分散紫外线吸收、相关分光、二次导数、自调制光吸收法对NO、NO2、SO2、烃类( CH4) 等气体具有较高的灵敏度。

( 2)光反应气体传感器

光反应气体传感器是利用气体反应产生色变引起光强度吸收等光学特性改变，传感元件是理想的，但是气体光感变化受到限制，传感器的自由度小。

( 3 )气体光学特性的新传感器

光导纤维温度传感器为这种类型，在光纤顶端涂敷触媒与气体反应、发热。温度改变，导致光纤温度改变。利用光纤测温已达到实用化程度，检测气体也是成功的。

此外，利用其它物理量变化测量气体成分的传感器在不断开发，如声表面波传感器检测SO2、NO2、H2S、NH3、H2 等气体也有较高的灵敏度。

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电容控制电路原型是eve手游中的飞船的改装配件，玩家可以用其来提升飞船的性能，不过很多玩家都不知道eve手游电容控制电路原型怎么获得？今天小编就给大家带来了一份相关攻略，感兴趣的玩家一起来看看吧。

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电容控制电路原型怎么获得

电容控制电路属于飞船的改装配件，在新手任务中玩家可以接取任务直接获得。

更多配件则可以通过后期的任务、异常、特殊玩 法、活动以及时长购买等多种途径来入手

以上就是eve手游电容控制电路原型配件获取方法的全部内容了，在新手任务就能直接获得，快去游戏中试试吧，希望本文对你有帮助。

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